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IPP041N04NG

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IPP041N04NGXKSA1
Infineon Techn..
PG-TO220-3-1
2023+
779
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IPP041N04NGHKSA1
Infineon Techn..
-
2023+
500
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IPP041N04NG
InfineonTechno..
TO-220-3
2023+
1250
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IPP041N04NG
INF
2023+
1798
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IPP041N04NG
Infineon
TO-220-3
2023+
12300
【【原装绝对有货】】
相关型号： IPP041N04N G IPP040N06N3 G IPP040N06N IPP03N03LB G IPP03N03LA IPP039N04L G

IPP041N04N G
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IPP041N04N G参数：MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3

类别：分立半导体产品-FET - 单
标准包装：500
系列：OptiMOS™
包装：管件
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压 (Vdss)：40V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：80A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.1 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 45µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4500pF @ 20V
功率 - 最大值：94W
安装类型：通孔
封装：TO-220-3
供应商器件封装：PG-TO220-3

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